Equipo de pulverización de atomización ultrasónica inteligente con control de volumen

Como material central en campos de fabricación de alto nivel-, como semiconductores y paneles de visualización, la calidad del recubrimiento del fotorresistente determina directamente indicadores clave de rendimiento, como la resolución del chip y la densidad de píxeles del panel. Los métodos tradicionales de recubrimiento fotorresistente utilizan principalmente recubrimiento por rotación, que, si bien es fácil de operar, tiene limitaciones significativas: en primer lugar, la utilización del material es baja (sólo 30%-40%), con una gran cantidad de fotorresistente desperdiciada debido a la fuerza centrífuga, lo que aumenta los costos de producción; en segundo lugar, la uniformidad del recubrimiento está limitada por el tamaño del sustrato, con obleas grandes o sustratos flexibles propensos al "efecto de borde" de bordes más gruesos y centros más delgados; en tercer lugar, la precisión del control del espesor del recubrimiento es insuficiente, lo que dificulta cumplir los estrictos requisitos de los procesos avanzados (como chips por debajo de 7 nm) para recubrimientos a nanoescala; y cuarto, se generan fácilmente defectos como burbujas y poros, lo que afecta la integridad del patrón de fotolitografía.

Con la evolución de los chips semiconductores hacia una mayor densidad y tamaños más pequeños, y de los paneles de visualización hacia tamaños más grandes y mayor flexibilidad, el recubrimiento fotorresistente necesita urgentemente nuevas tecnologías que combinen alta precisión, alta utilización y bajas tasas de defectos. El equipo de pulverización por atomización ultrasónica, con su principio de atomización único, se ha convertido en una solución central para abordar estos puntos débiles.

Escenarios de aplicación clave en la industria fotorresistente:

◆ Revestimiento fotorresistente de chip semiconductor: en la fabricación de chips lógicos y chips de memoria (como DRAM y NAND), se puede utilizar la pulverización de atomización ultrasónica para el revestimiento anti-reflectante inferior (BARC), el revestimiento fotorresistente principal y el revestimiento anti-reflectante superior (TARC) en la superficie de la oblea. Para procesos de litografía ultravioleta extrema (EUV), el equipo puede lograr recubrimientos fotorresistentes ultra-delgados (menores o iguales a 100 nm) y de baja-rugosidad (Ra menor o igual a 0,5 nm), mejorando la resolución y el rendimiento de rugosidad de los bordes (LER) del patrón de litografía.

◆ Recubrimiento fotorresistente para paneles de visualización: en los procesos de fabricación de capas de definición de píxeles (PDL), filtros de color (CF) y electrodos táctiles en paneles de visualización LCD y OLED, el equipo se puede adaptar para recubrir uniformemente sustratos de gran-tamaño (como G8.5 y G10.5), resolviendo el problema de deformación durante el recubrimiento de sustratos OLED flexibles (como películas PI), al tiempo que se mejora la adhesión entre el fotorresistente y el sustrato y se reduce el desplazamiento del patrón en el desarrollo y posterior posterior. procesos de grabado.

◆ Recubrimiento fotorresistente para MEMS y empaques avanzados: en sistemas microelectromecánicos (MEMS) y empaques de chips avanzados (como WLCSP y CoWoS), el fotorresistente se usa a menudo como capa de unión temporal, capa de pasivación o medio de transferencia de patrones. La pulverización por atomización ultrasónica puede lograr un recubrimiento uniforme de estructuras tridimensionales-complejas (como zanjas de alta relación de aspecto y conjuntos de protuberancias), lo que garantiza la integridad de la cobertura del recubrimiento en un espacio confinado y cumple con los requisitos de alineación de alta-precisión del proceso de envasado.

◆Recubrimiento fotorresistente funcional especial: para fotorresistentes funcionales especiales, como resinas fotosensibles y fotorresistentes de puntos cuánticos, el equipo puede controlar con precisión los parámetros de atomización para evitar la agregación de partículas funcionales (como puntos cuánticos y nanorellenos), mantener el rendimiento óptico y la sensibilidad fotolitográfica del fotorresistente y adaptarse a las necesidades de aplicación de visualización, detección y otros campos emergentes.