¿Ha utilizado alguna vez la pulverización ultrasónica en la industria fotorresistente?

La aplicación principal de la pulverización por atomización ultrasónica en la industria del fotorresistente es el recubrimiento del fotorresistente con alta precisión, alta uniformidad y alta cobertura de pasos. Es particularmente bueno para resolver los problemas de recubrimiento de microestructuras 3D, relaciones de aspecto altas y sustratos grandes/irregulares que son difíciles de manejar con el recubrimiento por rotación tradicional, al tiempo que mejora significativamente la utilización y el rendimiento del material.

1. Recubrimiento de obleas semiconductoras (aplicaciones principales)

Planar Wafer Coating: Used for 12-inch and larger wafers, achieving ultra-thin, uniform photoresist layers (thickness 50–500 nm), with thickness error controllable within ±0.3–0.4 μm and uniformity >95%, mejorando significativamente la precisión de la exposición y el rendimiento del chip.

Recubrimiento de oblea de estructura compleja: dirigido a zanjas profundas, TSV y estructuras de alta relación de aspecto, resolviendo problemas de recubrimiento por rotación-como acumulación de bordes, falta de resistencia en el fondo y efectos de sombra, logrando una cobertura uniforme en las paredes laterales y el fondo, garantizando la precisión del grabado/implantación de iones.

2. Recubrimiento de dispositivos MEMS y microestructura

Recubrimiento de superficies morfológicas complejas en 3D, como chips MEMS, chips de microfluidos, sensores y microespejos, que proporciona una excelente cobertura de pasos, elimina esquinas muertas y burbujas y mejora la confiabilidad del dispositivo.

Sustratos especiales y revestimiento electrónico flexible

Recubrimiento de sustratos sin-silicio, como vidrio, cerámica, metales y sustratos flexibles (p. ej., PI, PET), adecuado para piezas de forma irregular, tamaño-grande o frágiles, evitando el riesgo de fragmentación causado por la centrifugación a alta-velocidad durante el recubrimiento por centrifugación.

Recubrimiento de capas fotorresistentes/funcionales sobre sustratos flexibles/curvos, como OLED flexibles y células solares de perovskita.

I+D y creación de prototipos-por lotes pequeños

I+D de laboratorio, verificación de nuevos materiales y creación de prototipos en lotes pequeños-: cambio rápido, control preciso del espesor de la película y bajo consumo de material, adecuado para el desarrollo de formulaciones fotorresistentes y la iteración de procesos.

Proceso híbrido (recubrimiento por rotación + pulverización ultrasónica)

Primero, la pulverización ultrasónica forma una película base uniforme, luego el recubrimiento por centrifugado a alta-velocidad iguala el adhesivo, equilibrando la uniformidad, la cobertura de los pasos y la eficiencia de producción, lo que es adecuado para procesos avanzados.

Parámetros típicos del proceso (referencia)

●Frecuencia de atomización: 20–120 kHz (normalmente se utiliza 100 kHz)

●Tamaño de partícula de atomización: 0,5–50 μm (nivel submicrónico)

●Rango de espesor de la película: 50 nm–5 μm (50–500 nm se usa comúnmente para recubrimientos de precisión)

● Uniformidad del espesor: ±0,3–0,5 μm (oblea de 12 pulgadas)

●Material Utilization: >90%